第九五六章 研发极紫外光

第九五六章 研发极紫外光 (第1/2页)

前世虽然Nikon凭借技术实力和资金实力先后研制成功F2准分子激光器和浸没式光刻技术，生产成功浸没式光刻机，但半导体产业更新换代迅速，导致Nikon光刻机的可靠性能始终落后于ASML，从此，全球高端光刻机龙头Nikon逐渐败给了全球光刻机新霸主ASML。
　　
　　前世由于ASML独有的EUV光源无人能够研制，国内光刻机光源生产公司的技术没有竞争力，以美国为首的西方国家并没有限制ArF准分子激光器和ArFi准分子激光器的出口。
　　
　　BSEC可以直接进口市场价45五万美元一台的GCA牌ArF准分子激光器，购买蔡司公司生产的光学系统，进口6英寸晶圆，加上独创的光刻机磁悬浮式双工作台系统，就能生产1um制程工艺的光刻机，虽然6英寸晶圆、1um制程工艺的半导体生产线是西方国家淘汰的生产线，但在国内还大有市场。
　　
　　BSEC就可以活下来！
　　
　　理想很美好，但现实很骨感，BSEC就是能制造1um制程工艺的光刻机，不代表能生产6英寸晶圆、1um制程工艺的半导体生产线！
　　
　　国内缺乏半导体生产线设备的全产业链，如今都压在了BSEC的肩上。
　　
　　BSEC生产的1um制程工艺的光刻机也没有晶圆公司会用！
　　
　　谁投资谁倒霉，这就是“造不如买、买不如租”的主要原因！
　　
　　好在193nm波长的世界性光学难题将困惑光刻机行业八年，给了BSEC成长的机会，不然重生者也无能为力。
　　
　　BSEC的突破点就是赶在ASML之前率先研制成功世界上第一台193nm波长的浸没式光刻机！
　　
　　孙健所有的运作就是围绕这个突破点！
　　
　　EUV光刻机太过复杂，即使投入巨资研发成功EUV光源，但对相关的光学系统、光刻胶、掩膜版等设备和材料的要求太过苛刻，需要十万个零件，据说前世有五千多家生产商为EUV光刻机供货，重生者还不敢付诸实践。
　　
　　“孙董事长，BSEC能否不转让磁悬浮式双工作台系统专利给Nikon？”
　　
　　拥有了BSEC的磁悬浮式双工作台系统专利的终身授权，GCA光刻机光学精密设备研究所升级改造，只要研制成功适应800nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统（不能出售和转让专利技术），GCA光刻机的制程工艺就有可能达到500nm，达到Nikon光刻机的制程工艺，购买休斯电子材料公司（AEMC）生产的8英寸晶圆，还能提高35%左右的产能。
　　
　　有了磁悬浮式双工作台系统和蔡司公司的光学系统，Gikon重新争夺高端光刻机市场份额的资本。
　　
　　但前提是BSE。
　　
　　“艾德里安总经理，BSEC开发的光刻机磁悬浮式双工作台系统拿到日本和欧美国家签发的公司发明专利，要等18个月左右。”
　　
　　“孙董事长，我放心了！”
　　
　　艾德里安顿时轻松了一大截，孙董事长还是挺幽默的。
　　
　　“汤普森院长，公司如今经费紧张，光源研究所是继续研制ArF准分子激光器？还是像Nikon开始研制F2准分子激光器？”
　　
　　“孙董事长，我认为光源研究所应该另辟蹊径，开始研制波长只有十几个纳米的极紫外光？”
　　
　　GCA在八五年就研制成功ArF准分子激光器，在光刻机光源领域全球领先，但在透镜和反射镜构成的光学系统方面逊于Nikon半导体设备公司不断提升的光学系统，加上光刻机光源被卡在193nm波长上多年，又遭遇全球芯片生产的衰退期，光刻机的霸主地位逐渐被光学系统不断提升的Nikon半导体设备公司抢走，年年亏损，公司裁人，技术人员流失，沦落到两次被贱卖的地步。
　　
　　

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