第376章 PMOS

第376章 PMOS (第1/2页)

不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什么意见，利诺奇卡心想。
　　
　　“煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？”
　　
　　部长同志这才有些释然。
　　
　　并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什么，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。
　　
　　更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什么自己不知道的技术。
　　
　　“部长同志，我们要不要试一试把P-15的酒精换成煤油？”
　　
　　P-15，就是544导弹。
　　
　　“噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的P-15不能换！他们已经习惯维护这种导弹了，不是么？”
　　
　　不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。
　　
　　咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！
　　
　　“利诺奇卡同志，如果那边还有什么新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！”部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。
　　
　　——
　　
　　老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。
　　
　　其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。
　　
　　虽然已经选定了MOS技术，可是MOS技术也有PMOS（P沟道MOS）、NMOS（N沟道MOS）、CMOS（互补MOS）等等。
　　
　　这些技术的每一道工序，又有不同的选择。
　　
　　就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。
　　
　　不过在MOS的种类上，高振东倒是没什么好纠结的，PMOS直接上就行了，作为最早的MOS技术，自然是有他的优点的。
　　
　　猜猜它为什么最早？简单啊！
　　
　　PMOS只需要五次光刻就能搞定。
　　
　　P区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。
　　
　　分别形成P区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。
　　
　　而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。
　　
　　抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。
　　
　　甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。
　　
　　这是真的简单，而且对材料的要求也不高。
　　
　　只需要考虑引入三种元素。
　　
　　——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。
　　
　　其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。
　　
　　某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。
　　
　　而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。
　　
　　选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。
　　
　　不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。
　　
　　至于为什么选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。
　　
　　而且，少这一步，成本也会下降。
　　
　　先把逻辑门电路拿出来，支撑住DJS-60D的生产，然后再去搞更好的。
　　
　　先解决有没有，再解决好不好。
　　
　　选定了这些，抄起书来，那就快了，高振东花了一个下午飞快的把书抄完，第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。
　　
　　一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。
　　
　　看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎么还变薄了？
　　
　　先进技术，必定复杂，一旦复杂，那资料就会很厚，大家都这么想。
　　
　　“高总工，这工艺是先一部分一部分的做，这里是前期我们要做的事情？”鲁总工问道。
　　
　　高振东一头雾水，我什么时候说过一部分一部分做了：“没有啊，这里就是全部了。”
　　
　　“全部？”两人大惊失色，这怎么可能？
　　
　　高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍，两人陷入了“我不懂，但我大受震撼”的状态之中。
　　
　　

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